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通过雕刻在3个维度中刻放袋

消息分类:计算机科学 , 芯片 , 雕刻

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矩阵半导体一年é开发芯片mémoire à原始架构和容量é存储千兆位,其PR的两倍écédent produit.

通过雕刻在3个维度中刻放袋

为了增加其跳蚤的性能,加州公司确实选择了é几年来é为解决方案 雕刻 水平和垂直,请ô这一切都打赌组件的小型化。

该三维技术使其堆叠4层晶体管,éparé每个由多晶硅的绝缘层,从而获得3次SUP的表面增益érieur aux autres 地图M.émoires équivalentes d'英特尔 ou d'AMD.

该方法,基于技术 CMOS. maîtrisée很长一段时间,也允许réduire les coû生产。可以注意到它é也是世界上工作的对象 处理器.

但是,这个新的芯片mémoire ne se prête pas à toutes les 应用程序 ;相反 mémoires Flash non volatiles à é多重写作,它只允许一个é独特的写作类型 只读存储器 。然而,若干工业家(像摩丝或锋利)一样éclarés intéressés,例如词典électroniques.

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